Kusabab langkana moissanite alami, kalolobaan silikon karbida sintétis. Ieu dianggo salaku abrasif, sareng nembe dianggo salaku semikonduktor sareng simulant inten kualitas permata. Prosés manufaktur anu paling saderhana nyaéta ngagabungkeun keusik silika sareng karbon dina tungku résistansi listrik grafit Acheson dina suhu anu luhur, antara 1.600 °C (2.910 °F) sareng 2.500 °C (4.530 °F). Partikel SiO2 anu saé dina bahan pepelakan (contona sekam béas) tiasa dirobih janten SiC ku cara manaskeun kaleuwihan karbon tina bahan organik. Asap silika, anu mangrupikeun produk sampingan tina ngahasilkeun logam silikon sareng paduan ferosilikon, ogé tiasa dirobih janten SiC ku cara manaskeun nganggo grafit dina 1.500 °C (2.730 °F).
F12-F1200, P12-P2500
0-1mm, 1-3mm, 6/10, 10/18, 200mesh, 325mesh
Spésifikasi khusus anu sanésna tiasa disayogikeun upami dipénta.
| Grit | Sic | FC | Fe2O3 |
| F12-F90 | ≥98.50 | <0.20 | ≤0.60 |
| F100-F150 | ≥98.00 | <0.30 | ≤0.80 |
| F180-F220 | ≥97.00 | <0.30 | ≤1.20 |
| F230-F400 | ≥96.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| F500-F800 | ≥95.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| F1000-F1200 | ≥93.00 | <0.50 | ≤1.20 |
| P12-P90 | ≥98.50 | <0.20 | ≤0.60 |
| P100-P150 | ≥98.00 | <0.30 | ≤0.80 |
| P180-P220 | ≥97.00 | <0.30 | ≤1.20 |
| P230-P500 | ≥96.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| P600-P1500 | ≥95.00 | <0.40 | ≤1.20 |
| P2000-P2500 | ≥93.00 | <0.50 | ≤1.20 |
| Bubur jagung | Kapadetan Massal (g/cm3) | Kapadetan Luhur (g/cm3) | Bubur jagung | Kapadetan Massal (g/cm3) | Kapadetan Luhur (g/cm3) |
| F16 ~ F24 | 1.42~1.50 | ≥1.50 | F100 | 1.36~1.45 | ≥1.45 |
| F30 ~ F40 | 1.42~1.50 | ≥1.50 | F120 | 1.34~1.43 | ≥1.43 |
| F46 ~ F54 | 1.43~1.51 | ≥1.51 | F150 | 1.32~1.41 | ≥1.41 |
| F60 ~ F70 | 1.40~1.48 | ≥1.48 | F180 | 1.31~1.40 | ≥1.40 |
| F80 | 1.38~1.46 | ≥1.46 | F220 | 1.31~1.40 | ≥1.40 |
| F90 | 1.38~1.45 | ≥1.45 |
Upami anjeun gaduh patarosan, mangga ngahubungi kami.